FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：40V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：5mA @ 20V

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：500mV @ 1nA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：14pF @ 20V

电阻 - RDS（开）：100 Ohms

功率 - 最大值：625mW

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装：TO-92

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs